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为国产芯片“沸腾”被狙爱国画手乌合麒麟“道歉”转“对线”的背

发布日期:2021-07-15 15:11   来源:未知   阅读:
 

  原标题:为国产芯片“沸腾”被狙,爱国画手乌合麒麟“道歉”转“对线”的背后是什么?

  著名爱国画手@乌合麒麟出于自豪的一段配文,竟使其成为众矢之的,连续的道歉到后来的对线,是国内半导体行业太敏感还是大众缺乏“较真儿”的态度。

  上周日,以时政讽刺画一战成名的爱国画手@乌合麒麟继一天连续两次发表“道歉声明”后再一次登上热搜,这次“新作品”一改日前“画风”,从“道歉”直接改为“对线”,要从“科学和逻辑的角度”跟网友们论一论“国产14nm芯片这件事儿”。

  本次事件的起因要从6月24日@乌合麒麟转发一位数码博主@菊厂影业Fans转发的一则新闻的配文说起。转发原文是来自于环球网采访中国电子信息产业发展研究院电子信息研究所所长温晓君的文章,原标题为《温晓君谈14nm芯片量产:曙光就在眼前》(现标题为《专家谈14nm芯片量产:曙光就在眼前》)。

  被转发的这篇新闻中温晓君详细介绍了国产14nm芯片的发展以及现状,在对国产芯片未来寄予厚望的同时,也表明了我们与世界第一梯队代工企业之间存在的代差仍旧很大。但文中一些不严谨的表述曲解了温晓君的原本意思(目前原文章开头称“国产14nm芯片有望在明年实现量产”这句话已经删去。)

  与此同时,在@菊厂影业Fans的微博里,有爆料称华为海思半导体公司生产的芯片叠加实现了“1+1>2”,即能将两个低制程芯片进行叠加优化,14nm芯片经过优化和新技术支撑也可以比肩7nm芯片的性能,并称“功耗和热度不错”。

  出于对文中提及的国产半导体技术突破而感到的喜悦,@乌合麒麟在转发时配文“封锁着封锁着我们就什么都有了”。

  然而,随后@乌合麒麟为国产芯片技术取得突破的欣喜行为就被广大网友所质疑和攻击,连同@菊厂影业Fans两人被网友一起嘲讽为“两杯50度的水,倒在了一起成了100度”。

  随着时间的推移,群嘲开始变本加厉,网友们称其“什么都不懂瞎沸腾”。更有一些数码博主认为他们作为有影响力的博主,在不了解国内半导体产业现状的情况下盲目吹捧,低估了行业难度,“对国产芯片的盲目吹捧会阻碍行业进步”,甚至有网友称@乌合麒麟“以一己之力毁了国产芯片发展”。

  而后@乌合麒麟在26日上午突然就此事发表长文道歉,随后因为“阴阳怪气”的道歉内容冲上热搜。更有意思的是,在第一条道歉微博被吐槽背景底色晃眼后,@乌合麒麟又对此发布了一条道歉声明,但底色依旧没改,显示了“我道歉,但我不改”的态度。

  在@乌合麒麟道歉后,原来提出“两杯50度水相加”类比的博主@Blood旌旗称,前者作为转发方责任不大,应该是@菊厂影业Fans的说法存在问题。但在27日,@乌合麒麟却一改日前的话锋,发文称“本人因昨日道歉阴阳怪气而遭到部分网友合理质疑,现改回昨日道歉,并从科学和逻辑的角度论述一下这件事。”

  在点名最开始“带节奏”的@Blood旌旗后,@乌合麒麟称自己虽然不了解数码圈,但不想看到网友那相关“智障类比乱带节奏”。他称自己查阅资料后认定这种芯片叠加技术确实存在,叫“3D封装”,并称“英特尔正是靠这种3D堆叠技术使得14nm芯片的功效和台积电7nm甚至5nm的功效打得有来有回的”,还晒出了查阅结果和资料。

  @乌合麒麟称,查阅资料只为认定这种技术确实存在,“我的知识储备就能理解到这,往后面就触及到我知识盲区了”。同时他认为@菊厂影业Fans只是“措辞不太严谨地表述了正在研发此类技术而已”。他自己目前唯一不能证实的是海思是否正在研发这项技术或者明年年底会不会有实验机型,这属于公司机密无法证实,并不代表这是“造谣”,网络上质疑芯片叠加技术的人同样没能拿出证伪证据。

  3D封装技术确实存在,芯片堆叠优化技术也真实,所以他不赞同任何“乌合麒麟转发不实言论”的说法,并希望部分网友以科技为本,不要“带节奏”。

  对于@乌合麒麟的指责,@Blood旌旗在回复的长文中否认了自己在带节奏,并曝光了自己给@乌合麒麟的私信,表达自己不是有意针对,只是不想让“科技圈被瞎吹坑的不轻”的历史重演,还称大多数人希望半导体好好发展。

  同时长文中也质疑@乌合麒麟晒出的技术资料存在问题,先就“英特尔靠3D堆叠技术使得14nm芯片的功效和台积电7nm甚至5nm的功效打得有来有回的”说法提出怀疑,后称尽管叠加芯片可能让性能翻倍,“但因为发热太高导致芯片降频,性能更低”的可能性也存在,称存储结构相对简单、频率很低的芯片才能大规模进行3D堆叠。但并未论证“3D堆叠技术不存在”。神算天师

  随后@乌合麒麟又做出反击,称@Blood旌旗在偷换概念,列举“此堆叠不是彼堆叠”和“这个技术不好用”,但自己只想关注两个问题:两杯水类比是否准确?堆叠技术“存在或者不存在”——多个低制程芯片可否通过3D封装的技术在某些特定环境下(比如软件分跑或其他实验室环境中)实现性能增幅?

  知乎用户@西从南来表示,英特尔并没有把3D堆叠技术用在14nm上,而是用在10nm上,并且也无法证明@乌合麒麟后一段“和台积电7nm甚至5nm的功效打得有来有回”的结论。

  英特尔的单芯片3D堆叠技术是把核心逻辑电路部分用10nm工艺实现,其他部分用22nm/14nm工艺实现,这样可以降低生产难度和提升良率。但@西从南来也指出这与@乌合麒麟所转发的堆叠技术并不相同。

  也有知乎用户@钢铁咸肉指出,14nm+14nm≠7nm,这并不是合成大西瓜。他表示,理论而言把两块相同面积、同样型号的芯片进行堆叠封装,确实可以间接实现在面积不变的前提下,晶体管数量翻倍。目前主流大厂也有这方面的研究,但是就性能而言,14nm+14nm=7nm相当可笑。

  首先晶体管的制程未变,单个晶体管的体积并未缩小,功耗还是原来的功耗,叠加之后功耗乘二,散热也会翻倍;其次同等面积下晶体管数量翻倍,但堆叠封装后体积会变大,晶体管集成度反而会下降;再者芯片中的控制单元和运算单元势必要重新设计,单纯物理堆叠封装反而降低了可靠性;最后由于功耗巨大,为了保证元件不被烧毁势必需要降低性能,最后成品可能比单个14nm芯片强,但也完全不会和单个7nm芯片的性能在同一等级。

  另据相关消息显示,华为爆出的“双芯叠加”专利确实能够大大提升14nm芯片的性能,但比肩7nm还存在巨大差距。双芯叠加层级运用于设计和生产初期,也就是说在设计过程中将原来的一颗芯片设计成双层芯片然后利用自己独特的技术,来将这两层芯片封装在一颗芯片中,通过同步信号方式与一些其他方法就可以激活双层芯片共同发力,从而实现芯片性能突破。

  对于华为的“双芯叠加”目前还有太多疑问,比如文中很多模棱两可的词语“独特的技术”“其他方法”等等,如果不较真的看待,其背后的科学意义似乎更值得讨论。

  对于科技从业者来说,较真儿是最端正的态度;对于乌合麒麟一样的普罗大众而言,为国内科技进步而沸腾也并无他错。其实这件事双方都没有错,只能说错就错在“不在其位,不解其味”罢了。

  1.《乌合麒麟撤回道歉,直接对线.《笑死在@乌合麒麟 的道歉声明里…》,观察者网

  3.《画手乌合麒麟撤回道歉,14nm+14nm=7nm,到底行不行?》,0149om香港高手论0149, EDN电子技术设计